Kajian pencirian elektrik bagi simpang p-n filem nipis polimer berpengalir

Please use this identifier to cite or link to this item: http://umt-ir.umt.edu.my:8080/handle/123456789/8559

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Suziati Mohd Sati	-
dc.date.accessioned	2018-02-21T12:15:38Z	-
dc.date.available	2018-02-21T12:15:38Z	-
dc.date.issued	2007	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/8559	-
dc.description.abstract	Poli (3-Tiofena Asid Asetik) (P3TAA) adalah polimer berpengalir yang bersifat semikonduktor. Kajian ini mengkaji pencirian elektrik bagi simpang p-n terhadap filem nipis polimer berpengalir. Secara jelasnya, pencirian optik, nilai kekonduksian, pencirian lengkung 1-V, serta pencirian morfologi dikaji dalam kajian ini. Peranti ITO/P3TAA/AI juga dihasilkan dalam kajian ini. Filem nipis P3TAA dihasilkan menggunakan alat penyalut berputar. Pengimbas Mikroskop Elektron (SEM) digunakan untuk melihat morfologi permukaan filem nipis P3TAA. Nilai serapan optik bagi P3TAA dikesan menggunakan spektrofotometer. Alat penduga empat titik digunakan untuk mendapatkan nilai arus dan voltan bagi menentukan nilai kekonduksian. Lengkung 1-V peranti ITO/P3T AA/ Al diperolehi menggunakan alat pengukuran keelektrikan. Ketebalan filem nipis P3TAA adalah (0.945 ± 0.110) nm.	en_US
dc.language.iso	other	en_US
dc.publisher	Terengganu: Universiti Malaysia Terengganu	en_US
dc.subject	LP 24 FST 5 2007	en_US
dc.subject	Suziati Mohd Sati	en_US
dc.title	Kajian pencirian elektrik bagi simpang p-n filem nipis polimer berpengalir	en_US
dc.type	Working Paper	en_US
Appears in Collections:	Fakulti Sains dan Teknologi

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
LP 24 FST 5 2007 Abstract.pdf		706.87 kB	Adobe PDF	View/Open
LP 24 FST 5 2007 Full Text.pdf Restricted Access		8.31 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

DSpace JSPUI